Numéro de produit du fabricant:
IPI057N08N3 G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI057N08N3 G-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12847383
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SOUMETTRE
IPI057N08N3 G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4750 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI057N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000680662
IPI057N08N3G
IPI057N08N3 G-DG
SP000395182
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
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